20220907 삼성전자 경계현 사장 차기 반도체 방향 평택캠퍼스 간담회

20220907 삼성전자 경계현 사장 차기 반도체 방향 평택캠퍼스 간담회 내용

 

요약

삼성 "좁혀진 메모리 기술격차, 다시 초격차 시동"

"좁혀진 기술격차를 다시 벌리겠다." 엑시노스 논란 등 최근 반도체 이슈에 대한 생각을 밝혔다.

최대 6개의 라인이 들어올 수 있어 한국이 반도체 강국으로 거듭나는데 핵심 전초기지 역할을 수행할 것으로 기대된다.

경 사장은 "평택캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하의 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 성장하고 있다"며 "반도체 생산은 물론 친환경 사업장 구축, 지역사회, 협력사 등과 다양한 상생활동을 통해 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것"이라고 했다.

 

경계현 삼성전자 반도체부문(DS) 부문장(사장)이 7일 평택캠퍼스에서 기자간담회를 갖고 △경쟁사의 기술 추격 △인수합병(M&A) △엑시노스 논란 등 최근 반도체 이슈에 대한 생각을 밝혔다.

경 사장은 SK하이닉스와 마이크론 등 메모리반도체 경쟁사와의 기술격차가 좁혀진 것 아니냐는 질문에 "5~10년 전만해도 격차가 상당했으나 현재는 줄어든 게 사실"이라고 답변했다.

그는 "여러가지 이유가 있지만 연구개발(R&D) 투자를 예전보다 적게 한 것이 가장 큰 영향일 것"이라면서 "격차는 줄었지만, 이유를 알고 있으니 앞으로 R&D 신규 투자를 늘려 격차를 늘려갈 것"이라고 설명했다.

업황 전망과 관련해서는 "하반기는 물론이고 내년도 좋아질 모멘텀은 보이지 않는다"면서 "하지만 항상 안 좋은 위기는 좋은 기회가 될 수 있다. 안 좋은 구간이 지났을 때 우리의 위치가 지금보다 더 나아지도록 기회로 삼겠다"고 했다.

경 사장은 2030년까지 시스템반도체 1위에 올라서겠다는 '비전 2030'은 사실상 힘든 목표라고 인정했다. 그는 "전체 매출에서 1등이 아니라 내용적인 1등을 달성하는 방법 등 많은 방안을 모색 중"이라며 "4, 5나노는 TSMC보다 늦었지만 3나노는 우리가 더 빠를 수 있다. 사업 초창기 실리콘밸리에서 삼성 파운드리(위탁생산)의 평판이 그렇게 좋지 않았으나 내년 말쯤에는 지금과 크게 달라져 있을 것"이라고 강조했다.

M&A설에 대해선 "기존 분야를 급격히 성장시킬 수 있는 방법으로 M&A를 활용할 수 있다"며 "구체적으로 밝힐 순 없지만 우선순위를 정해 검토하고 있다"고 언급했다.

이밖에 최근 갤럭시 시리즈에 삼성의 자체 애플리케이션 프로세서(AP)인 엑스노스 공급이 차질을 빚은 것과 관련해선 "앞으로 공급을 제대로 못할 거면 하지 말자는 얘기까지 나왔다"며 "경쟁사의 3분이 1밖에 안되는 시스템온칩(SoC) 개발 역량으로 가장 잘할 수 있는 것에 집중하고 경쟁력을 회복할 것"이라고 밝혔다.

해외 생산거점을 점차 다변화하겠다는 계획도 내비쳤다. 경 사장은 "미국 외 글로벌 사이트는 현재로서는 확정된 것이 없지만 다방면으로 지켜보고 있다"면서 "시장의 변화를 보면서 필요할 때 투자할 것"이라고 덧붙였다.

 

한편 삼성전자는 현존 세계 최대 규모 반도체 생산시설인 평택 3라인(P3)에서 지난 7월부터 낸드플래시 양산 시설을 구축하고 본격적인 웨이퍼 투입을 시작했다. 이와 함께 미래 반도체 수요에 적기 대응하기 위한 4라인(P4) 착공을 위한 준비작업도 착수했다.

평택캠퍼스는 총 면적이 289만㎡에 이르는 대형 단지이다. 최대 6개의 라인이 들어올 수 있어 한국이 반도체 강국으로 거듭나는데 핵심 전초기지 역할을 수행할 것으로 기대된다.

경 사장은 "평택캠퍼스는 업계 최선단의 14나노 D램과 초고용량 V낸드, 5나노 이하의 첨단 시스템반도체가 모두 생산되는 첨단 반도체 복합 생산단지로 성장하고 있다"며 "반도체 생산은 물론 친환경 사업장 구축, 지역사회, 협력사 등과 다양한 상생활동을 통해 우리나라 반도체 생태계의 중심지로 거듭날 것"이라고 했다.

 

 

출처 : https://n.news.naver.com/article/014/0004895636